特許
J-GLOBAL ID：200903093118926556
不揮発性記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾川 秀昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073341
公開番号（公開出願番号）：特開平5-234382
出願日： 1992年02月24日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 1セル1スタックゲート型メモリMOSトランジスタタイプのE2PROMにおいて、オーバーイレースの虞れを伴うことなく消去できるようにし、消去に要する時間を短縮する。【構成】 各メモリMOSトランジスタのソースをビット線に接続し、ドレインを共通線に接続し、更には消去をドレイン側からフローティングゲートへのチャンネル・ホットエレクトロン注入あるいはコントロールゲートへの高電圧を印加してのFNトンネルによるエレクトロン注入により行い、書き込みをコントロールゲートに負電圧を印加しソースに正電圧を印加してフローティングゲートからソースへ電子を引き抜くことにより行うようにする。【効果】 消去に先立つ書き込まれていないセルへの書き込みが不要になり、更に、確認(Verify)なしで一括的に消去ができる。
請求項（抜粋）：
1つのセルをフローティングゲートとコントロールゲートを絶縁膜を介して積層したスタックゲート型のメモリMOSトランジスタ1個で構成した電気的に書き換え可能な不揮発性記憶装置において、上記各メモリMOSトランジスタのソースをビット線に接続し、ドレインを共通線に接続してなることを特徴とする不揮発性記憶装置
IPC (4件)：
G11C 16/02
, H01L 27/115
, H01L 29/788
, H01L 29/792
G11C 17/00 307 A
, H01L 27/10 434
, H01L 29/78 371
