特許

J-GLOBAL ID：200903093123568404

増幅型固体撮像素子及びその製造方法

発明者： 丸山 康 ,  阿部 秀司 ,  米本 和也 ,  上野 貴久 ,  山根 淳二
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070438
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162380
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【課題】 画素MOSトランジスタを有する増幅型固体撮像素子において、ブルーミングの発生を抑制し、信号電荷量の増加を可能にする。【解決手段】 第1導電型の半導体基板22上に第2導電型のオーバーフローバリア領域23及び第1導電型半導体領域24が順次形成され、第1導電型半導体領域24にソース領域27、ドレイン領域28及びゲート部26からなる画素MOSトランジスタ29が形成され、ドレイン領域28直下の第1導電型半導体領域24内にゲート部の第1導電型半導体領域に蓄積された信号電荷に対する第2導電型チャネルストップ領域41が形成された構成とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に第2導電型のオーバーフローバリア領域及び第1導電型半導体領域が順次形成され、前記第1導電型半導体領域にソース領域、ドレイン領域及びゲート部からなる増幅型画素トランジスタが形成され、前記ドレイン領域直下の前記第1導電型半導体領域内に、前記ゲート部の前記第1導電型半導体領域に蓄積された信号電荷に対する第2導電型のチャネルストップ領域が形成されて成ることを特徴とする増幅型固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 27/08 331 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L 27/14 A ,  H01L 27/08 331 B ,  H04N 5/335 U