特許

J-GLOBAL ID：200903093125523904

プラズマCVD装置用電極板及びその表面処理方法

発明者： 飯田 謙二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 蔦田 璋子 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-348060
公開番号（公開出願番号）：特開平11-181570
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月06日
要約：

【要約】【課題】 プラズマCVD装置の反応室(チャンバー)1中において、CVDによる堆積層が剥離して生じるダスト量を低減することで、液晶セル等の製造における不良を減少させる。【解決手段】 プラズマCVD装置中に装着される電極板4の表面をブラスト処理又は溶射により、表面粗さが、最大高さ(Rmax)値において40〜100μm、ピッチ(λa)値において50μm以下とする。電極板4の表面とCVDによる堆積層との間でのアンカー効果の増大により、層間接着性を向上させる。

請求項（抜粋）：

電子デバイス製造用プラズマCVD装置の反応室内に装着される電極板において、前記電極板の表面粗さにおける最大高さの値が40〜100μmであることを特徴とするプラズマCVD装置用電極板。

IPC (4件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H05H 1/46

FI (4件)：

C23C 16/50 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H05H 1/46 Z