特許
J-GLOBAL ID:200903093127743669
半導体デバイスの分離方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-018868
公開番号(公開出願番号):特開平11-126763
出願日: 1998年01月30日
公開日(公表日): 1999年05月11日
要約:
【要約】【課題】研磨後のウエハの応力を解放することなくデバイス分離のためのスクライブを行うことができ、ウエハを効率良く分離する。【解決手段】先ず、ウエハ103の正面側(複数の半導体デバイス10側)を第1ワックス104により補助板105に接着し、補助板105を第2ワックス106により研磨治具107に接着した状態で、ウエハ103の裏面側(サファイア基板101側)を研磨する。次に、ワックス106を溶かして補助板105を研磨治具107から取り外した状態で、ウエハ103の裏面側を分離すべきパターンに応じてスクライブする。次に、ウエハ103の裏面側を粘着シート108に接着した後、ワックス104を溶かして補助板105からウエハ103を取り外す。次に、粘着シート108を伸長して、ウエハ103をスクライブされたラインに沿って分離する。
請求項(抜粋):
正面と裏面とを有するウエハの、前記正面上に形成された複数の半導体デバイスを分離する方法において前記ウエハを補助板を介して研磨治具に固定する工程と、前記ウエハの前記正面が前記補助板に面し且つ前記裏面が露出することと、前記研磨治具に固定した状態で前記ウエハを前記裏面から研磨し、前記ウエハを薄くする工程と、前記ウエハを研磨した後、前記補助板に固定した状態で前記ウエハの前記裏面に、前記デバイスを分離するための分離パターンをスクライブする工程と、前記分離パターンをスクライブした後、前記ウエハの前記裏面に粘着シートを接着する工程と、前記ウエハを前記粘着シートと共に前記補助板から剥離する工程と、前記ウエハを前記補助板から剥離した後、前記粘着シートに接着した状態で前記ウエハを分離パターンに従って分離する工程と、を具備することを特徴とする半導体デバイスの分離方法。
IPC (4件):
H01L 21/301
, H01L 21/86
, H01L 27/12
, H01L 33/00
FI (6件):
H01L 21/78 Q
, H01L 27/12 Z
, H01L 33/00 C
, H01L 21/78 M
, H01L 21/78 L
, H01L 21/86
引用特許:
審査官引用 (4件)
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特開平3-166750
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ウエハはがし方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-177778
出願人:三菱電機株式会社
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特開昭60-003182
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