特許

J-GLOBAL ID：200903093130304439

配線形成方法

発明者： 菅野 幸保
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260464
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121356
出願日： 1991年09月12日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】 バリヤメタル構造を有するコンタクト部において、高いバリヤ性と低抵抗化を達成する。【構成】 SiO2 層間絶縁膜3に開口されたコンタクト・ホール4を、第1のTi層5,TiNx 層6で順次被覆した後、減圧酸素,酸素プラズマ等の酸化性雰囲気中にウェハを真空搬送し、放置する。この酸化処理により、TiNx 層6の柱状の結晶粒の表面に薄いTiOx Ny 層が形成されると共に粒界に酸素が偏析し、バリヤ性が向上する。結晶粒の内部は低抵抗のTiNx が残るので、全体として抵抗率の上昇は抑えられる。プロセス途中でウェハが大気開放されないので、ウェハ面への水分付着による悪影響も回避できる。その後、第2のTi層7を形成してバリヤメタル8を完成し、Al-1%Si層9でコンタクト・ホール4を埋め込む。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化チタン層を形成する工程と、前記基板を高真空下で酸化性雰囲気中へ搬送して酸化処理を行うことにより、前記窒化チタン層の結晶粒の表面に酸窒化チタン層を形成する工程と、前記酸窒化チタン層が形成された前記窒化チタン層の上に配線材料層を積層する工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (4件)：

H01L 21/283 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90