特許
J-GLOBAL ID：200903093134183806
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-316087
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254707
出願日： 1985年09月20日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】 従来のプレーナ型半導体装置に比べて高い耐圧を持つ半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 n- 型基板11の表面にp+ ベース12層が形成され、この2つの間のpn接合端を覆うように形成された絶縁膜16上の高抵抗体膜21のLで示される部分に不純物としてPがドーピングされている。
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層表面に選択的に第2導電型の第2半導体層が形成され、これらの第1半導体層および第2半導体層間の接合の表面に露出する部分およびその外側が絶縁膜により覆われ、この絶縁膜上に高抵抗体膜が設けられた半導体装置において、前記高抵抗体膜のうち前記接合の表面に露出する部分の側の端部近傍に不純物がドーピングされて、このドーピングされた部分が低抵抗となっていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 29/06
, H01L 29/41
H01L 29/78 652 C
, H01L 29/52
