特許

J-GLOBAL ID：200903093134817805

配線形成方法

発明者： 横 山 浩 一
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244108
公開番号（公開出願番号）：特開平8-111455
出願日： 1994年10月07日
公開日（公表日）： 1996年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】ヴィアホールの開口部18の側壁と下層配線パターン14の表面に充分厚くTi膜20を形成し、Al系配線材料を加熱処理して該開口部内をTi Al合金で完全に埋め込み、その抵抗値を低減して均一にし、エレクトロマイグレーション耐性を向上させる配線形成方法の提供。【構成】層間絶縁膜12の上に形成された下層配線14の表面を露出させた後、これと膜12の上に形成される上層配線パターンとを電気的に接続するに際、開口部の側壁および露出された下層配線14の表面に所定膜厚のTiを被覆した後、450°C〜580°Cの温度範囲で加熱処理しながらAl系配線材料を堆積して、開口部内でTi膜とAl系配線材料を略完全に反応させて得られるTi Al合金により該開口部内を均一に埋め込み、その後膜12の表面に配線材料を堆積して上層配線層を所定膜厚に形成し、これをパターニングする。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜にヴィアホールを開口し、前記層間絶縁膜の下に形成された下層配線パターンの表面を露出させた後、この下層配線パターンと前記層間絶縁膜の上に形成される上層配線パターンとを電気的に接続するに際し、少なくとも前記ヴィアホールの側壁および前記露出された下層配線パターンの表面に所定膜厚のチタン膜を被覆した後、450°C〜580°Cの温度範囲で加熱処理しながらアルミニウム系配線材料を堆積することにより、前記ヴィアホール内部で前記チタン膜および前記アルミニウム系配線材料を略完全に反応させて、得られるチタンアルミニウム合金によって前記ヴィアホールの内部を均一に埋め込み、その後、前記層間絶縁膜の表面に前記アルミニウム系配線材料を堆積して上層配線層を所定膜厚に形成し、この上層配線層をパターニングして前記上層配線パターンを形成することを特徴とする配線形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301