特許

J-GLOBAL ID：200903093141763796

トンネル磁気抵抗効果素子およびその製造方法ならびにトンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法

発明者： 孫 吉軍 ,  荒木 悟
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 三反崎 泰司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344701
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237628
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】 室温下において、高TMR比が得られると共に、低抵抗が得られ、トンネルバリア層の厚みを従来より大きくすることのできるトンネル磁気抵抗効果素子、トンネル磁気抵抗効果型ヘッドおよびそれらの製造方法を提供する【解決手段】 TMR素子70は、第1の強磁性層24と、トンネルバリア層30と、第2の強磁性層42とが順に積層された構造を有する。トンネルバリア層30は、ニッケルクロム酸化物(NiCrOx)等を含むようにする。

請求項（抜粋）：

外部磁場により磁化方向が自由に変化可能な強磁性フリー層を含む第1の電極と、外部磁場に影響されず特定方向に磁化が固定される強磁性ピンド層を含む第2の電極と、前記強磁性フリー層と前記強磁性ピンド層との間に挟まれたトンネルバリア層とを備え、前記トンネルバリア層は、ニッケル(Ni)と、少なくとも1種の非磁性材料とを含む酸化合金薄層を有することを特徴とするトンネル磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12

FI (6件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/32 ,  H01L 43/12 ,  G01R 33/06 R

Fターム (11件)：

2G017AA01 ,  2G017AB07 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA02 ,  5D034BA03 ,  5D034DA07 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 磁気抵抗効果素子、再生ヘッド、および記録再生システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-137621   出願人：日本電気株式会社
• 磁気トンネル素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-374595   出願人：ヤマハ株式会社