特許
J-GLOBAL ID：200903093145998801
半導体センサ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 稔 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-241461
公開番号（公開出願番号）：特開平7-098326
出願日： 1993年09月28日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：
【要約】【目的】 センサ構造部の破壊を防止すると共に梁の厚さ制御(管理)を容易とする。【構成】 半導体質量体を梁により半導体基板で支持するセンサ構造部を有する半導体センサの製造方法において、半導体基板上に梁となる高分子膜を形成し、その後、半導体質量体の梁の残した状態で半導体構造部を周囲の半導体基板から切り離すためのエッチングを行う。この際、高分子膜を形成した後、高分子膜上に梁となる部分を残してヒータ線を形成し、上記エッチングを行った後、ヒータ線に通電して高分子膜を加熱蒸発させることが好ましい。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された半導体センサにおいて、半導体質量体を梁により半導体基板で支持するセンサ構造部を有し、このセンサ構造部の梁を高分子膜により形成したことを特徴とする半導体センサ。
IPC (2件)：
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