トンネル磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：皿田秀夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-177977
公開番号（公開出願番号）：特開2001-006130
出願日： 1999年06月24日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】より簡易に高記録密度化に対応することができる、改善された新規な電極構造を備えるTMRヘッドを提供する。また、TMR変化率の低下がなく、超高密度記録に適用できるよう大きなヘッド出力が得られるトンネル磁気抵抗効果ヘッドを提供する。【解決手段】トンネル多層膜にセンス電流を流す手段として、トンネル多層膜にセンス電流をながすための電極と磁気シールドの両方の機能を果たす、電極-シールド兼用層(common lead and shield layer)を電気的に接合(electricalcontact)させ、当該電極-シールド兼用層は、読み取り出力を向上させるためにABS(Air Bearing Surface)からトンネル多層膜の後部へと入り込みつつトンネル多層膜の後部へ延長されるようにデザインされており、トンネル多層膜の後部に位置する電極-シールド兼用層の一部分が読み取り出力を向上させるためのバックフラックスガイドとして機能してなるように構成する。

請求項（抜粋）：

トンネルバリア層と、トンネルバリア層を挟むようにして形成された強磁性フリー層と強磁性ピンド層が積層されたトンネル多層膜を有するトンネル磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記トンネル多層膜の積層方向の両側のうち少なくとも片側には、トンネル多層膜にセンス電流をながすための電極と磁気シールドの両方の機能を果たす、電極-シールド兼用層(common lead and shield layer)が、電気的に接合(electrical contact)されており、前記一つの電極-シールド兼用層は、読み取り出力を向上させるためにABS(Air Bearing Surface)からトンネル多層膜の後部へと入り込みつつトンネル多層膜の後部へ延長されるようにデザインされており、トンネル多層膜の後部に位置する電極-シールド兼用層の一部分が読み取り出力を向上させるためのバックフラックスガイドとして機能してなることを特徴とするトンネル磁気抵抗効果型ヘッド。

IPC (2件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08

FI (2件)：

G11B 5/39 , H01L 43/08 Z

Fターム (4件)：

5D034BA04 , 5D034BA08 , 5D034BB09 , 5D034CA08

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜磁気ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-036767 出願人：松下電器産業株式会社
磁気抵抗効果型ヘッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-100844 出願人：松下電器産業株式会社
特開昭57-003220

全件表示

前のページに戻る