特許

J-GLOBAL ID：200903093175841079

ポーラス半導体発光装置と製造方法

発明者： 山田 雅雄 ,  田村 哲朗 ,  高沢 章 ,  ジョージ ジェイ コリンズ
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-060595
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275866
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 細線状のポーラス化によって発光機能を得るポーラス半導体発光装置と製造方法に関し、ポーラス化による量子細線構造を有する発光半導体装置の新規な製造方法を提供する。【構成】 SiまたはSiCの半導体層を弗酸溶液中で陽極酸化し、ポーラス半導体層を形成する陽極酸化工程と、前記ポーラス半導体層を超音波を印加した純水中に浸漬する工程とを含む。また、SiまたはSiCの半導体層表面に反応性イオンを照射する工程と、前記半導体層を弗酸溶液中で陽極酸化し、ポーラス半導体層を形成する陽極酸化工程とを含む。

請求項（抜粋）：

SiまたはSiCの半導体層を弗酸溶液中で陽極酸化し、ポーラス半導体層を形成する陽極酸化工程と、前記ポーラス半導体層を超音波を印加した純水中に浸漬する工程とを含むポーラス半導体発光装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/316