特許

J-GLOBAL ID：200903093181485632

半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法

発明者： 塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-070709
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260416
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】より結晶欠陥を少なくすることができ、均一に結晶成長させ得る半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法を提供する。【構成】半導体結晶の成長方法は、(イ)絶縁基板10上に非晶質半導体層16を形成し、次いで、(ロ)この非晶質半導体層16の所定の領域16Aに、ドーパントとなり得る不純物をイオン注入し、その後、(ハ)非晶質半導体層に低温アニール処理を施して所定の領域から結晶粒を固相成長させて、非晶質半導体層から多結晶又は単結晶20を形成する工程、から成る。MOS型トランジスタの作製方法は、工程(ハ)の後に、(ニ)多結晶又は単結晶にチャネル領域及びソース・ドレイン領域を形成する工程を備える。不純物として、リン、ヒ素あるいはホウ素を挙げることができる。

請求項（抜粋）：

(イ)絶縁基板上に非晶質半導体層を形成する工程と、(ロ)該非晶質半導体層の所定の領域に、ドーパントとなり得る不純物をイオン注入する工程と、(ハ)該非晶質半導体層に低温アニール処理を施して該所定の領域から結晶粒を固相成長させて、非晶質半導体層から多結晶又は単結晶を形成する工程、から成ることを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (5件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 29/78 311 P ,  H01L 29/78 311 Y