特許

J-GLOBAL ID：200903093185031466

半導体装置の製造方法

発明者： 入江 祐二
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-206532
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058234
出願日： 1993年08月20日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 表面実装が可能で、かつ量産性の高い半導体装置の製造方法を提供すること。【構成】 金属からなる放熱用基板上に、スルーホール接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工程と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導体素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放熱用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前記絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程とにより、複数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成した後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導体装置を切り出す半導体装置の製造方法。

請求項（抜粋）：

金属からなる放熱用基板上に、スルーホール接続された電極が形成された絶縁基板を積層する工程と、前記放熱用基板上に半導体素子を搭載し、該半導体素子と前記絶縁基板上に形成された電極、及び前記放熱用基板とを金属ワイヤで電気的に接続する工程と、前記絶縁基板上にキャップ基板を積層する工程と、により、複数個分の半導体装置が一体に形成された積層体を形成した後、上記積層体を切断機により切断し、個々の半導体装置を切り出すことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 23/02 ,  H01L 21/301 ,  H01L 23/12 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (3件)：

H01L 21/78 Z ,  H01L 23/12 L ,  H01L 29/80 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-174341
  
• 特開平2-087557