特許

J-GLOBAL ID：200903093194062218

半導体装置およびその製造方法

発明者： 小林 昭志
出願人/特許権者： 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 石島 茂男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-368958
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195861
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：

【要約】【課題】CCD等の撮像デバイスに適した半導体装置、及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板12の素子形成面の裏面側からエッチングを行い、金属パッド20裏面にスルーホール22を形成し、メッキ等によって金属を析出させ、バンプ34を形成する。バンプ34が基板12の裏面側に形成されるので、素子形成面上には遮蔽物がなく、撮像デバイスに適している。メッキではなく、金属ボールをスルーホール22上に配置し、熱処理して金属ボールの溶融物でスルーホール22内を充填してもよい。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の面側に形成された金属パッドとを有する半導体装置であって、前記半導体基板の前記金属パッド底面下には、前記第1の面とは反対側の第2の面に開口するスルーホールが設けられた半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 602 J ,  H01L 27/14 D

Fターム (32件)：

4M118AA05 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK04 ,  5F033KK08 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033NN06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP19 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ16 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ35 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033TT02 ,  5F033TT07 ,  5F033XX00