特許

J-GLOBAL ID：200903093196745827

光電変換素子用半導体膜の製造方法、光電変換素子用半導体膜および光電気化学電池

発明者： 多田隈 芳夫
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 萩野 平 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-271700
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101106
出願日： 1998年09月25日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】 優れた光電変換効率を有する廉価な光電変換素子および光電気化学電池を提供する。【解決手段】 導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜を硫酸の存在下で加熱処理した後に色素増感する。

請求項（抜粋）：

導電性支持体上に半導体膜が形成された光電変換素子用半導体膜において、半導体膜を硫酸の存在下で加熱処理した後に色素増感したことを特徴とする光電変換素子用半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 31/0264 ,  H01L 31/04 ,  H01M 14/00

FI (2件)：

H01L 31/04 Z ,  H01M 14/00 P

Fターム (9件)：

5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032EE02 ,  5H032EE03 ,  5H032EE16 ,  5H032EE18 ,  5H032HH06