特許
J-GLOBAL ID：200903093197600725
シリコンのエッチング方法及び装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-286356
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140639
出願日： 1992年10月23日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：
【要約】【構成】 シリコンのエッチング方法であって、イソプロピルアルコールを添加した水酸化カリウム水溶液中で行う電解エッチング法と、浸漬エッチング用の装置において、エッチング溶液がアルコールを添加した水酸化カリウム水溶液であって該アルコール濃度を十分大きくして2層に分離させ、上層に分離したアルコール溶液のみを循環させる装置及び該装置を用いたシリコンのエッチング方法を開示する。【効果】 電解エッチング法ではコーナー部が過剰にエッチングされていないシリコン構造体の形成が可能となり、小型で良好な感度を有する角加速度センサの提供が可能となり、浸漬エッチングの装置によりエッチング速度を安定化し、エッチング溶液の循環系への影響が少なく、またシリコンへの不純物拡散の少ないエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
シリコンにより構成される重り部と、該重り部の重心をほぼ通る回転軸上にあって前記重り部の両側で前記重り部を回転自在に指示するシリコンにより構成される梁部と、前記回転軸に対し交差する方向に前記重り部と対向して設けた固定電極と、該固定電極と前記重り部の間隔変化に対応する静電容量の変化から前記重り部に加わる角加速度を検出する手段とを有する半導体角加速度センサの作製にあたり、前記重り部と弾性部の形成のためのエッチング工程において、p型層及びn型層より構成される(100)方位シリコン単結晶基板を、n型シリコン層に正電位を印加しながらp型層を電解エッチングする際に、イソプロピルアルコールを添加した水酸化カリウム水溶液中で行うことを特徴とするシリコンのエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01P 15/02
, H01L 21/306
