フアイバー・アンプ励起用分布帰還型半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：三好秀和 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-309188
公開番号（公開出願番号）：特開平5-145194
出願日： 1991年11月25日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】 (修正有)【構成】分布帰還型構造を採用し、複数の位相シフトを共振器中央より出力端側に設ける。出力面に軸方向の光強度分布を集中させた2モード発振が可能となる。【効果】回折格子の波長選択性により単一縦モードでの動作が可能で、その発振はブラグ波長の極近傍で起こり発振波長の制御が楽で、前面出力面に軸方向の光強度分布を集中させた2モード発振する高効率のEDFAポンプ用高出力DFBレーザが実現でき、ブラグ波長の制御性の良さのために発振波長を1.48μm±0.01μmの範囲におさめるのが容易である。

請求項（抜粋）：

活性層を含む導波路構造に沿って周期構造を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、単一もしくは複数の回折格子の位相シフトあるいはそれと等価の効果を有する導波路構造の変化が前記導波路よりなる共振器の中央に対して片側に設けられ、かつ、両端面の反射率が2%以下であることを特徴とするファイバー・アンプ励起用分布帰還型半導体レーザ。

IPC (4件)：

H01S 3/18 , H01S 3/085 , H01S 3/093 , H01S 3/094

FI (2件)：

H01S 3/08 S , H01S 3/094 S

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