特許
J-GLOBAL ID：200903093205477156
半導体パッケージ用リードフレームおよびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青木 健二 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-012475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-224365
出願日： 1993年01月28日
公開日（公表日）： 1994年08月12日
要約：
【要約】【目的】クロストークノイズ等の電気的ノイズの発生をできるだけ抑制して高周波特性を向上させる。【構成】インナーリード3のワイヤボンディング部3aを除く所定の領域のインナーリード部分に、樹脂封止材料の誘電率よりも低い誘電率を有する額縁状の低誘電率部11が設けられている。この低誘電率部11は低誘電率材料12とこの低誘電率材料12の上下面に形成された非熱可塑性樹脂層13とから構成され、低誘電率材料12がインナーリード3の表裏面を覆いかつ隣り合うインナーリード3,3間の間隙Aを充填している。これによりインナーリード3,3間の誘電率が低くなるので、リード3,3間の寄生容量が大きく減少する。したがって、クロストークノイズ等のノイズが減少し、高周波特性が向上する。
請求項（抜粋）：
外部回路に接続される所定数のアウターリードと、このアウターリードに連続して形成され、半導体素子のパッドに導電ワイヤにより電気的に接続される所定数のインナーリードとを少なくとも備え、封止樹脂で封止することにより形成される半導体パッケージのリードフレームにおいて、前記インナーリードの前記導電ワイヤ接続領域を除く任意の領域のインナーリード部分に位置する、互いに隣り合うインナーリード間の間隙が、前記封止樹脂の誘電率よりも低い低誘電率材料で充填されていることを特徴とする半導体パッケージ用リードフレーム。
IPC (3件)：
H01L 23/50
, H01L 21/56
, H01L 23/28
