特許

J-GLOBAL ID：200903093216916542

半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法

発明者： 菊地 純 ,  藤村 修三 ,  伊賀 雅夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152381
公開番号（公開出願番号）：特開平6-338478
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1994年12月06日
要約：

【要約】【目的】シリコン基板上の自然酸化膜を除去し、更に水素終端処理をする水素プラズマダウンフロー処理装置に関し、処理時間の短縮が図れる水素プラズマダウンフロー処理装置の提供する。【構成】水素含有ガスを導入して該水素含有ガスを活性化するプラズマ発生部4と、該プラズマ発生部4の下流に設けられ、前記プラズマ発生部4で活性化された反応ガスに基板9上の被処理物10を曝して該被処理物10をエッチングする処理部7と、前記プラズマ発生部4の下流に設けられてフッ化窒素ガス又はフッ化窒素含有ガスのガス導入部6とを含む。

請求項（抜粋）：

水素含有ガスを導入して該水素含有ガスを活性化するプラズマ発生部(4)と、前記プラズマ発生部(4)の下流に設けられ、前記プラズマ発生部(4)で活性化された反応ガスに基板(9)上の被処理物(10)を曝して処理する処理部(7)と、前記プラズマ発生部(4)よりも下流に設けられてフッ化窒素ガス又はフッ化窒素含有ガスを導入するガス導入部(6)とを有することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (4件)：

H01L 21/302 ,  C23F 4/00 ,  C23G 5/00 ,  H01L 21/304 341