特許

J-GLOBAL ID：200903093221415438

電界効果トランジスタとその製造方法

発明者： 間部 謙三
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-210732
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044420
出願日： 1999年07月26日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 シリコン窒化膜の酸化-シリコン/ゲート絶縁膜界面での相互拡散を抑制でき、これにより、ゲート絶縁膜厚がSi酸化膜換算膜厚1nm以下且つゲートリーク電流がゲート電圧1V時に10-3A/cm2以下であるMDIS構造の電界効果トランジスタを実現する。【解決手段】 ゲート絶縁膜として、シリコン窒化膜とWO3のW6+サイトの一部をTi4+またはZr4+で置換した金属酸化物絶縁膜の積層膜を使用する。上記の金属酸化物は、シリコン酸化膜換算膜厚1nm以下の薄膜においても高い誘電率(100〜200)と低いリーク電流(電界強度1MV/cm時、10-3A/cm2)を有する。上記膜を、分解温度が170°Cのヘキサジメチルアミノジタングステン(W2(N(CH3)2)6)を含む有機金属材料ガスを用いて形成すれば、膜の絶縁特性を劣化させずに成膜-酸素アニールを400°C以下にできる。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコン基板上にゲート絶縁膜として、シリコン窒化膜及びタングステン-チタン混合酸化物又はタングステン-ジルコニウム混合酸化物の積層膜が設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (6件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/316 X ,  H01L 21/316 M ,  H01L 21/318 A ,  H01L 21/318 C

Fターム (56件)：

5F040DA14 ,  5F040DA19 ,  5F040DB01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC04 ,  5F040EC08 ,  5F040ED01 ,  5F040ED03 ,  5F040ED04 ,  5F040EH02 ,  5F040EH05 ,  5F040EK05 ,  5F040FC21 ,  5F045AA04 ,  5F045AB31 ,  5F045AB33 ,  5F045AB40 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AF01 ,  5F045AF03 ,  5F045BB16 ,  5F045CA05 ,  5F045DC51 ,  5F045DC55 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP03 ,  5F045EK05 ,  5F045EK07 ,  5F045HA16 ,  5F058BA01 ,  5F058BA06 ,  5F058BD01 ,  5F058BD03 ,  5F058BD05 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BF01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF22 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF51 ,  5F058BF52 ,  5F058BF55 ,  5F058BF64 ,  5F058BF75 ,  5F058BH01 ,  5F058BH02 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ01