特許

J-GLOBAL ID：200903093221802547

量子化Si光半導体装置

発明者： 中島 安理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-341290
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175535
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：

【要約】【目的】 Siを用いた光半導体装置に関し、新規な機構を有する量子化Si光半導体装置を提供することを目的とする。【構成】 量子化されたレベルを有する活性Si領域と、前記活性Si領域を囲む絶縁物領域と、前記絶縁物領域の一方の側に配置されたp型Si領域と、前記絶縁物領域の他方の側に配置されたn型Si領域と、前記活性Si領域近傍に形成された窓領域とを有する。

請求項（抜粋）：

量子化されたレベルを有する活性Si領域(5)と、前記活性Si領域(5)を囲む絶縁物領域(6、7)と、前記絶縁物領域(6、7)の一方の側に配置されたp型Si領域(2)と、前記絶縁物領域(6、7)の他方の側に配置されたn型Si領域(1)と、前記活性Si領域近傍に形成された窓領域(8)とを有する量子化Si光半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 31/10 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-066178