特許
J-GLOBAL ID：200903093221904102

保護素子の製造方法及び電子機器の製造方法

発明者：
堀田 良人

堀田 良人 について

, 
浅田 隆広

浅田 隆広 について


出願人/特許権者：
ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社

ソニーケミカル&インフォメーションデバイス株式会社 について


代理人 (1件)： 木森 有平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-157303
公開番号（公開出願番号）：特開2009-301964
出願日： 2008年06月17日
公開日（公表日）： 2009年12月24日
要約：
【課題】 ヒューズエレメントの寸法精度を向上させ、安定した動作特性を呈する保護素子を製造する。【解決手段】 保護素子のヒューズエレメント15を形成するにあたっては、所定のディスペンサ50を用いて、基板11上に低融点金属粒Mを溶融状態としながら順次射出又は滴下し、複数のヒューズエレメント用電極端子13a,13b,13c間に跨るように、ヒューズエレメント15を形成する。このとき、複数のヒューズエレメント用電極端子13a,13b,13cのうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する基板11上の位置を起点として、ヒューズエレメント用電極端子13a,13b,13c間に位置する基板11の表面上に低融点金属粒Mを順次射出又は滴下していく。【選択図】 図5
請求項（抜粋）：
保護対象機器の異常時に電流を遮断する保護素子の製造方法において、 通電経路を複数に分割して電流遮断部とするように複数の電極端子が形成された所定の基板を用意する第1の工程と、 所定の射出又は滴下装置を用いて、上記基板上に低融点金属粒を溶融状態としながら順次射出又は滴下し、上記複数の電極端子間に跨るように、電流を遮断するヒューズエレメントを形成する第2の工程とを備え、 上記第2の工程では、上記複数の電極端子のうち一の電極端子の端縁を画定する辺であって他の電極端子と対向する辺に接する上記基板上の位置を起点として、上記複数の電極端子間に位置する上記基板の表面上に上記低融点金属粒を順次射出又は滴下していくこと を特徴とする保護素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01H 37/76
FI (1件)：
H01H37/76 L
Fターム (12件)：
5G502AA01 ,  5G502BA01 ,  5G502BB13 ,  5G502BC12 ,  5G502BD06 ,  5G502BE08 ,  5G502CC04 ,  5G502CC14 ,  5G502CC28 ,  5G502CC32 ,  5G502EE01 ,  5G502JJ01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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