特許

J-GLOBAL ID：200903093230201491

MOS反転増幅回路

発明者： 上野 典夫 ,  松山 哲 ,  奈良 修
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-233832
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094953
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 MOSプロセスにより構成される反転増幅器に関し、高周波特性に優れ、利得を精度良くコントロールでき、且つ、動作範囲を大きくとることができ、更に、利得がプロセス変動や温度変動の影響を受けにくいようにすることを目的とする。【構成】 第1の電位源(1)と第2の電位源(2)との間に直列に接続され、同一の半導体製造プロセスにより形成された同一導電型の第1および第2のMOSトランジスタ(3,4)からなり、前記第1のMOSトランジスタ(3)のゲート端子に入力電圧(VIN)を印加し、前記第2のMOSトランジスタ(4)のゲート端子に固定電圧(Vref )を印加し、前記第1および第2のMOSトランジスタ(3,4)が直列に接続される接続点を出力端子とすることを特徴とするように。

請求項（抜粋）：

第1の電位源(1)と第2の電位源(2)との間に直列に接続され、同一の半導体製造プロセスにより形成された同一導電型の第1および第2のMOSトランジスタ(3,4)からなり、前記第1のMOSトランジスタ(3)のゲート端子に入力電圧(VIN)を印加し、 前記第2のMOSトランジスタ(4)のゲート端子に固定電圧(Vref )を印加し、前記第1および第2のMOSトランジスタ(3,4)が直列に接続される接続点を出力端子とすることを特徴とするMOS反転増幅回路。

IPC (2件)：

H03F 1/00 ,  H03F 1/22