特許

J-GLOBAL ID：200903093231404248

タンタル酸化膜を備えたキャパシタ製造方法

発明者： 南 甲 鎭 ,  元 皙 俊 ,  朴 起 演 ,  那 庸 宇 ,  朴 泳 旭
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200889
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
要約：

【要約】【課題】 タンタル酸化膜よりなる誘電膜を備えたキャパシタ製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板の活性領域に電気的に連結される下部電極を形成する。下部電極の表面にシリコン酸化物、シリコン窒化物及びこれらの組合せよりなる群から選択される成分を含む前処理膜を形成する。Ta前駆体を用いて所定の温度範囲から選択される第1温度で蒸着された第1誘電膜と、所定の温度範囲から選択されて第1温度とは異なる第2温度で蒸着された第2誘電膜よりなる誘電膜を前処理膜上に形成する。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板の活性領域に電気的に連結される下部電極を形成する段階と、(b)前記下部電極の表面にシリコン酸化物、シリコン窒化物及びこれらの組合せよりなる群から選択される成分を含む前処理膜を形成する段階と、(c)Ta前駆体を用いて所定の温度範囲から選択される第1温度で蒸着された第1誘電膜と前記所定の温度範囲から選択されて前記第1温度とは異なる第2温度で蒸着された第2誘電膜とからなる誘電膜を前記前処理膜上に形成する段階と、(d)前記誘電膜を酸素雰囲気で熱処理する段階とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316

FI (3件)：

H01L 27/10 651 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/316 X