半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮井暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-230018
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067645
出願日： 1991年09月10日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：

【要約】【目的】集積度を高めることのできる半導体装置を提供する。【構成】第1配線層3と第2配線層5は、ボンディングパッド窓7の下部領域を除く領域に設けたスルーホール9で接続してあり、ボンディングパッド窓7の下部の断面構成は、下から順に半導体基板1,第1絶縁層2,第1配線層3,第2絶縁層4,第2配線層5となっている。ボンディングパッド窓7の下部に第2絶縁層4を有するため、ワイヤ8をボンディングするときの衝撃により第1絶縁層2が破壊されるのを防止できる。このため、ボンディングパッド窓7の下部に抵抗などの素子を形成することができ、集積度を高めることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1絶縁層,第1配線層,第2絶縁層および第2配線層が順次形成され、前記第2配線層にワイヤがボンディングされた半導体装置であって、前記第1配線層と前記第2配線層を接続するためのスルーホールをボンディングパッド窓の下部領域を除く領域に設けたことを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-081638
特開昭59-075639

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