特許
J-GLOBAL ID：200903093249659650
セラミック配線基板
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-231755
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226587
出願日： 1994年09月27日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 高速LSIを搭載するセラミック多層基板において、表面の実装エリアを広く確保するために、抵抗体を基板内部に配置する。この内層抵抗について抵抗値の安定した素子を提供することを目的とする。【構成】 多層基板中に抵抗素子1としてRuO2 ,IrO2 ,RhO2 ペーストを、又導体配線3としてAgもしくはAgPdのペーストをスクリーン印刷する。この際、配線導体3と抵抗素子1の間にAgPdあるいはAgPtのバリア層2を形成する。その際、バリア層2に含有されるAgは導体配線3に含有されているAgよりも重量比を低く設定する。バリア層2により、配線導体を構成するAgの抵抗体中への拡散が抑制されて、抵抗素子の抵抗値が従来よりはるかに安定する。
請求項（抜粋）：
Agを配線導体とし、RuO2 、IrO2 、RhO2 より選ばれる酸化物系抵抗体を内装するセラミック配線基板において、配線導体と抵抗体の間に、AgPdもしくはAgPtよりなるバリア層を有することを特徴とするセラミック配線基板。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
