特許
J-GLOBAL ID：200903093259822436
薄膜キャパシタおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野▲崎▼ 照夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-308289
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148379
出願日： 1994年11月16日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】 小型で且つ大きい静電容量の薄膜キャパシタを得る。【構成】 基板10の表面には球面が連続して規則的に配列した凹凸面11が形成されている。例えば感光材料により形成された基板10を露光現像し、またはシリコンなどの基板10をエッチングすることにより凹凸面11を形成することができる。この凹凸面11上に下部電極層21、誘電体層22、上部電極層23を成膜することにより、薄膜キャパシタが製造される。この薄膜キャパシタは、誘電体層22を挟む下部電極層21と上部電極層23の対向表面積が広いため、平面的なキャパシタよりも静電容量の大きなものとなる。
請求項（抜粋）：
下部電極層と誘電体層と上部電極層とが順に積層されており、下部電極層の表面が規則的な凹凸面とされ、誘電体層が前記凹凸面に倣って形成され、さらに誘電体層の表面に現れる規則的な凹凸面に上部電極層が積層されていることを特徴とする薄膜キャパシタ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01G 4/06 101
, H01G 1/015
