非線形の伝達特性をもつ電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大貫進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-154568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120520
出願日： 1993年06月02日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】禁止帯幅の広い材料で構成されるバリア層18により隔てられ、多重の縦に積層されたチャンネル12,14,16を有する電界効果半導体装置を提供する。【構成】チャンネル12,14,16は、禁止帯幅の広いバッファ層11上に形成され、各チャンネルはN型ドレーン領域22bに結合される。各チャンネルは、N型ソース領域25bにも結合される。ゲート電極17に適切なゲート・バイアスが印加されると、チャンネル12,14,16内の量子化エネルギ・レベルが一致して、Nチャンネル12,16の伝導帯へ移動するPチャンネル14の価電子帯内の電子による自己ドーピングが行われ、ピーク・チャンネルの導電性が図られる。ゲート・バイアスがより高くなると、Nチャンネルの一方12は非導電性となり、負の抵抗領域を発生する。

請求項（抜粋）：

結晶性基板(10);禁止帯幅の広い材料で構成され、前記基板上に形成されたバッファ層(11);前記バッファ層上に形成された、第1材料組成の第1Nチャンネル量子ウェル(12);禁止帯幅の広い材料で構成され、前記第1Nチャンネル量子ウェル(12)を覆う第1バリア層(18);前記第1バリア層(18)上に形成され、第2材料組成のPチャンネル量子ウェル(14);前記の禁止帯幅の広い材料で構成され、前記Pチャンネル量子ウェル(14)を覆う第2バリア層(18);前記第2バリア層(18)上に配置される、第1材料組成の第2Nチャンネル量子ウェル(16)であって、前記第2材料組成が前記第1材料組成の伝導帯エネルギよりも大きな価電子帯エネルギを有する第2Nチャンネル量子ウェル(16);前記の禁止帯幅の広い材料で構成され、前記第2Nチャンネル量子ウェル(16)を覆うキャップ層(18);前記キャップ層の上に配置されたゲート電極(17);前記ゲート電極の一面に形成されたN型ドレーン領域(22);および前記ゲート電極の反対面に形成されたN型ソース領域(25)であって、前記ソースおよびドレーン領域が前記キャップ層の上面から、前記キャップ層,前記第1Nチャンネル量子ウェル,前記第2バリア層,前記Pチャンネル量子ウェル,前記第1バリアおよび前記第1Nチャンネル量子ウェルを通って延在し、前記第1および第2Nチャンネル量子ウェル内にドレーン-ソース電流が流れて、前記Pチャンネル量子ウェル内には流れないソース領域(25);によって構成されることを特徴とする非線形の伝達特性を有する電界効果トランジスタ。

前のページに戻る