特許

J-GLOBAL ID：200903093265941080

アクテイブマトリツクス基板

発明者： 中澤 尊史
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-253733
公開番号（公開出願番号）：特開平5-027266
出願日： 1991年10月01日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 短絡欠陥のないアクティブマトリックス基板を提供する。【構成】 絶縁膜で覆った走査線101、薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜111で覆った半導体層102、薄膜トランジスタを構成するゲート電極103を積層し、走査線101とデータ線108の交差部を多層構造とする。走査線101とデータ線108の交差部を多層構造とするため、短絡欠陥をなくせる。走査線101と薄膜トランジスタのゲート電極103を別々に設けるため、それぞれに最適の材料を任意に選定できる。走査線101を各層の下部に設けることができ、液晶層への直流分の印加を低減できる。

請求項（抜粋）：

所定の基板上に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタのゲートに接続された走査線と、前記薄膜トランジスタのソースに接続されたデータ線と、前記薄膜トランジスタを介して前記データ線に接続された画素電極とを具備したアクティブマトリックス基板において、表面が絶縁膜で履われた前記走査線と、前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜で覆われた半導体層と、前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極とを順次積層した構造を有することを特徴とするアクティブマトリックス基板。

IPC (4件)：

G02F 1/136 500 ,  G02F 1/1343 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平2-082571
  
• 特開昭59-195268
  
• 特開昭58-088783
  
• 特開昭58-088779