特許
J-GLOBAL ID:200903093285041906

高分子光導波路の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-304655
公開番号(公開出願番号):特開平10-142438
出願日: 1996年11月15日
公開日(公表日): 1998年05月29日
要約:
【要約】【課題】 光集積回路などの導波型光部品に使用可能な高分子光導波路をより効率的に製造するための方法を提供すること。【解決手段】 高分子材料からなるコア部と、該コア部を取り囲み該コア部よりも屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部とを有する高分子光導波路の製造において、基板1上に下部クラッド2、コア層3を順次形成し、無電解銅メッキによりコア層3上にメッキ核4を形成し、これをエッチングするための銅マスクパターンをフォトレジスト5で形成し、フォトリソグラフィーで、メッキにより析出した銅6をマスクとしてエッチングして、コアリッジ部7を形成し、全体を上部クラッド8で覆うことにより高分子光導波路を製造する。
請求項(抜粋):
高分子材料からなるコア部と、該コア部を取り囲み該コア部よりも屈折率の低い高分子材料からなるクラッド部とを有する高分子光導波路の製造において、無電解銅メッキによりコア層エッチング用の銅マスクパターンを形成する工程を包含することを特徴とする高分子光導波路の製造方法。

前のページに戻る