特許

J-GLOBAL ID：200903093289897775

半導体ウェーハの上面を平坦化する方法

発明者： カイサキ,デイビッド・エイ ,  クランツ,ヘザー・ケイ ,  ウッド,トーマス・イー ,  ハーディ,エル・チャールズ
出願人/特許権者： ミネソタ・マイニング・アンド・マニュファクチャリング・カンパニー
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-547366
公開番号（公開出願番号）：特表2001-523395
出願日： 1998年04月30日
公開日（公表日）： 2001年11月20日
要約：

【要約】本発明は、半導体製品に好適なウェーハの表面を改良または改善する方法に関する。本発明の方法を使用して、該ウェーハに結合された少なくとも1つの分散的な形状構成を有する第1の材料の上に配置された第2の材料の層を含む、未改良の露出面を有するウェーハを改良することができる。本発明の方法の第1のステップは、研磨物品に対して該ウェーハの露出面を接触させて、相対的に移動させるステップであって、該研磨物品が、結合剤中に分散されて固定された複数の研磨粒子を含む複数の三次元研磨複合体の露出面を有するステップと、該第2の材料を除去するために接触を維持するステップを含む。第2のステップでは、該ウェーハの露出面が露出した第1の材料の少なくとも1箇所の領域と露出した第2の材料の少なくとも1箇所の領域を有するまで、接触させながらの相対的な該移動を継続する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造に好適なウェーハの表面を改良する方法であって、 a)表面がエッチングされてある種のパターンを形成する少なくとも1種の第1の材料と、前記第1の材料の表面に配置された少なくとも1種の第2の材料とを含むウェーハを提供するステップと、 b)前記ウェーハの前記第2の材料を研磨物品に固定された複数の三次元研磨複合体に接触させるステップであって、前記三次元研磨複合体が結合剤中に分散されて固定された複数の研磨粒子を含むステップと、 c)前記ウェーハの露出面が平坦になり、露出された第1の材料の少なくとも1箇所の領域と露出された第2の材料の1箇所の領域を有するまで、前記第2の材料を前記複数の研磨複合体に接触させた状態で、前記ウェーハを相対的に移動させるステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 621 ,  B24B 37/00 ,  H01L 21/304 622

FI (3件)：

H01L 21/304 621 D ,  B24B 37/00 C ,  H01L 21/304 622 D