特許
J-GLOBAL ID：200903093304941158

III族窒化物系化合物半導体の製造方法

発明者：
瀧 哲也

瀧 哲也 について

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牛田 泰久

牛田 泰久 について

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西島 和樹

西島 和樹 について


出願人/特許権者：
豊田合成株式会社

豊田合成株式会社 について


代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-300955
公開番号（公開出願番号）：特開2005-072310
出願日： 2003年08月26日
公開日（公表日）： 2005年03月17日
要約：
【課題】低転位の成長を促す、簡単で効率的な結晶成長方法を提供する。【解決手段】半導体層を結晶成長させる際に結晶成長面に供給する III族元素及びV族元素の各材料ガスの単位時間当たりの供給量の比のことを以下V/III 比と言う。基板1またはその付近では、先に結晶成長させる半導体層AのV/III 比を後から結晶成長させる半導体層BのV/III 比よりも小さく設定する。これにより、半導体層Aの横方向の結晶成長は半導体層Bの横方向の結晶成長よりも抑制されるので、半導体層Aは相対的には縦方向の結晶成長が促進される。半導体層Aの結晶成長過程では、最初の結晶成長面σが殆ど平らな場合でも、上記の半導体層AのV/III 比や、或いは結晶成長温度TA などを最適化することにより、半導体層Aの上面を、その後積層される半導体層Bの横方向成長作用を発現させるのに十分な起伏のある凹凸形状にすることができる。【選択図】図1-B
請求項（抜粋）：
半導体の結晶成長により III族窒化物系化合物半導体を製造する方法であって、 III族元素の材料ガスを単位時間当たりaIII [μmol /min]の割合で供給し、かつ、 V族元素の材料ガスを単位時間当たりaV [μmol /min]の割合で供給して、 基板またはバッファ層が供する結晶成長面の上に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体層Aを成長させる第1の結晶成長工程と、 III族元素の材料ガスを単位時間当たりbIII [μmol /min]の割合で供給し、かつ、 V族元素の材料ガスを単位時間当たりbV [μmol /min]の割合で供給して、 前記半導体層Aの上に III族窒化物系化合物半導体から成る半導体層Bを成長させる第2の結晶成長工程と を有し、 比RA (≡aV /aIII )を比RB (≡bV /bIII )よりも小さくする ことにより、 第1の結晶成長工程における前記半導体層Aの横方向の結晶成長速度vLAを、第2の結晶成長工程における前記半導体層Bの横方向の結晶成長速度vLBよりも小さくした ことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00
FI (2件)：
H01L21/205 ,  H01L33/00 C
Fターム (27件)：
5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045BB12 ,  5F045DA67 ,  5F045EE12
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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