真空成膜装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志村浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-091712
公開番号（公開出願番号）：特開2000-282237
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月10日
要約：

【要約】【課題】基材からの脱ガスがあっても、最適な条件で成膜処理を行う。【解決手段】真空チャンバ100内は、真空排気装置120で排気され真空状態に維持される。有機フィルムからなる基材Bが送出ロール161からローラ162,163,164を通って搬送され、巻取ロール165へと巻き取られる。チャンバ100内には、アルゴンと酸素とが導入される。酸素は基材Bからも脱ガスとして供給される。光照射装置41から白色光Lを内部に照射し、内部の酸素およびアルゴンガスから所定波長の発光を得る。「アルゴン:酸素」の比率は、分光分析装置142による観測スペクトルの各波長位置のピーク値の比により求まる。成膜制御装置150は、この比率が一定に維持されるように、流量制御装置135による酸素導入量をフィードバック制御する。

請求項（抜粋）：

真空環境下で基材の表面に対して成膜を行う真空成膜装置であって、基材を収容するための真空チャンバと、前記真空チャンバ内を所定の真空度に維持する真空排気装置と、前記基材の表面に対して励起状態の粒子を作用させることにより成膜処理を施す成膜処理装置と、この成膜処理装置の作用により励起された前記真空チャンバ内のガス粒子からの発光スペクトルを観測する分光分析装置と、前記発光スペクトルに基いて、前記成膜処理装置の成膜条件を制御する成膜制御装置と、を備えることを特徴とする真空成膜装置。

IPC (6件)：

C23C 14/54 , B01J 3/02 , C23C 16/52 , G01N 21/63 , G01N 21/71 , H01L 21/205

FI (6件)：

C23C 14/54 C , B01J 3/02 K , C23C 16/52 , G01N 21/63 Z , G01N 21/71 , H01L 21/205

Fターム (34件)：

2G043AA03 , 2G043BA09 , 2G043CA02 , 2G043DA05 , 2G043EA10 , 2G043FA03 , 2G043GA07 , 2G043GB09 , 2G043JA01 , 2G043KA05 , 2G043KA09 , 2G043LA01 , 2G043NA01 , 2G043NA06 , 4K029AA11 , 4K029AA25 , 4K029EA00 , 4K029EA04 , 4K030CA07 , 4K030CA12 , 4K030JA05 , 4K030KA39 , 4K030KA41 , 5F045AA08 , 5F045AA19 , 5F045AC11 , 5F045AC16 , 5F045AF07 , 5F045AF10 , 5F045DP22 , 5F045EC03 , 5F045EE04 , 5F045GB07 , 5F045GB16

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭57-161063
特開昭64-039362
特開平4-212414

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審査官引用 (3件)

特開昭57-161063
特開昭64-039362
特開平4-212414

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