特許

J-GLOBAL ID：200903093309312876

光起電力素子

発明者： 佐野 政史 ,  中村 哲郎
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-207922
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125944
出願日： 1997年08月01日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】 光電変換効率が高く、かつ光劣化を低減させた、pin接合を複数有する光起電力素子を提供すること。【解決手段】 pin接合を複数有する光起電力素子において、光入射側から数えて第一のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンを有し、第二のpin接合のi型半導体層が微結晶シリコンを有し、第三のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンゲルマニウム又は微結晶シリコンゲルマニウムを有することを特徴とする光起電力素子とする。

請求項（抜粋）：

pin接合を複数有する光起電力素子において、光入射側から数えて第一のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンを有し、第二のpin接合のi型半導体層が微結晶シリコンを有し、第三のpin接合のi型半導体層がアモルファスシリコンゲルマニウムを有することを特徴とする光起電力素子。

FI (2件)：

H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-188774
  
• 光起電力素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-349586   出願人：キヤノン株式会社
• 光電変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-000115   出願人：キヤノン株式会社