特許

J-GLOBAL ID：200903093313149360

透明導電膜の製造方法

発明者： 宮崎 正美 ,  佐藤 一夫 ,  光井 彰 ,  西村 啓道
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (1件)： 泉名 謙治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-248021
公開番号（公開出願番号）：特開平9-087833
出願日： 1995年09月26日
公開日（公表日）： 1997年03月31日
要約：

【要約】【課題】低い基板温度での成膜においても、低比抵抗の酸化亜鉛系透明導電膜が得られる透明導電膜の製造方法の提供。【解決手段】スパッタリング法により、酸化ガリウムを含有し酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造するにあたり、ターゲット表面における最大水平磁束密度を500〜1200ガウスとする。

請求項（抜粋）：

マグネトロンスパッタリング法により、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を製造する方法において、酸化ガリウムを含有する酸化亜鉛を主成分とするターゲットを用い、ターゲット表面における最大水平磁束密度を500〜1200ガウスとすることを特徴とする透明導電膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/35 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 C ,  C23C 14/08 K ,  C23C 14/35 Z ,  H01B 13/00 503 B