特許
J-GLOBAL ID：200903093313920210
磁電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-293494
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147438
出願日： 1993年11月24日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】磁性体基板上に半導体からなる相互に接続された磁電変換素子パタ-ンと電極膜とが形成された磁電変換素子において、完成品の信頼性を向上させる。【構成】磁電変換素子は、磁気抵抗素子パタ-ン2と電極膜4aが形成された基板1に、電極膜の端面のみが露出するように磁気抵抗素子パタ-ンと電極膜を被覆する保護膜5と、露出した電極膜の端面に接続された外部接続用電極4bとを有する。【効果】磁電変換素子のように外部接続用端子を熱圧着法によりチップに接続するときに、チップに圧縮応力や熱負荷がかかり磁気抵抗素子パタ-ンに損傷を与える事がない。また外部接続用端子がないためにはずれて磁電変換素子が破壊するなどという事がない。また磁気抵抗素子パタ-ンと電極膜とを保護するための保護膜はその形状が単純で良い。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗素子パタ-ンと電極膜が形成された基板に、電極膜の端面のみが露出するように、磁気抵抗素子パタ-ンと電極膜とを被覆する保護膜と、露出した電極膜の端面に接続された外部接続用電極とを有することを特徴とする磁電変換素子。
IPC (2件)：
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