特許
J-GLOBAL ID：200903093315079857
123超伝導体セグメントの結合体を作製する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸山 敏之 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025344
公開番号（公開出願番号）：特開平6-231851
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年08月19日
要約：
【要約】【目的】 異方性の超伝導を示す123超伝導体のセグメントどうしを接合してより大きな物体(セグメントの結合体)を作製するに際し、結合体に対して、個々のセグメントと同等の電流トランスポート特性を具備させる。【構成】 接合すべきセグメントのab面の配向を求める。セグメントを接触させて、セグメントのab面どうしが平行になるように調整する。接触させた表面を加熱して昇温させる。静圧を加えて、接触表面の界面を横切る反応を促進させる。このようにして生成したコヒーレントな物体を、制御された速度で冷却する。
請求項（抜粋）：
異方性の超伝導を示す123超伝導体のセグメントどうしを接合し、より大きな寸法を有し異方性の超伝導を示す物体を作製する方法であって:a.化学式L1M2Cu3O6+d(但し、Lは希土類金属、Mはアルカリ土類金属及びdは約0.7〜約1.0の範囲の数)で示される123超伝導体からなり、異方性の超伝導を示すセグメントどうしを、任意の超伝導セグメントのab面が隣接セグメントのab面に対して平行アラインメントが5度以内となるように接触させる工程;b.接触させたセグメントを、超伝導体の包晶温度以下であって約95°C〜約160°Cの緩和温度まで加熱する工程;c.接触させたセグメントを、包晶温度以下であって約50°C〜約90°Cの促進反応温度まで、180°C hr-1以下の速度にて加熱する工程;d.接触させたセグメントを、促進反応温度で測定したときの超伝導体の降伏応力の約50%〜約90%の静圧下にて、セグメントどうしをコヒーレントな物体に接合するための反応に必要な十分な時間、促進反応温度に保持する工程;及びe.セグメントを150°C hr-1以下の速度で常温まで冷却する工程、から構成される、123超伝導体のセグメントを接合して超伝導の結合体を作製する方法。
IPC (4件)：
H01R 43/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 12/02 ZAA
, H01B 13/00 565
