半導体装置および半導体センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-093076
公開番号（公開出願番号）：特開2005-285822
出願日： 2004年03月26日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：

【課題】カーボンナノチューブの製造工程において受けるダメージを抑制し、良好な動作特性を有する半導体装置および半導体センサを提供する。【解決手段】基板11と、基板11表面の溝部11aに形成されたゲート電極16と、基板11表面およびゲート電極16を覆うゲート絶縁膜12と、ゲート絶縁膜12上にゲート電極16の長さ方向が長手方向となるように形成されたカーボンナノチューブ13と、ゲート絶縁膜12上にカーボンナノチューブ13の長手方向に離隔して形成され、カーボンナノチューブ13と電気的に接続されたソース電極14およびドレイン電極15などから構成し、カーボンナノチューブ12の下側にゲート絶縁膜12を介してゲート電極16を設ける。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の上方にかつゲート絶縁膜に接触して配置されたカーボンナノチューブと、前記カーボンナノチューブの長手方向に離隔して形成され、該カーボンナノチューブに電気的に接触するソース電極およびドレイン電極と、を備える半導体装置。

IPC (5件)：

H01L29/786 , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L21/336 , H01L29/06

FI (9件)：

H01L29/78 618B , B82B1/00 , B82B3/00 , H01L29/06 601N , H01L29/78 617S , H01L29/78 617T , H01L29/78 617N , H01L29/78 625 , H01L29/78 617K

Fターム (52件)：

5F110AA01 , 5F110AA26 , 5F110BB09 , 5F110CC07 , 5F110CC10 , 5F110DD01 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD21 , 5F110DD25 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE22 , 5F110EE38 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110FF36 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG41 , 5F110GG44 , 5F110GG57 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK33 , 5F110NN02 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110QQ14 , 5F110QQ19

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