特許
J-GLOBAL ID：200903093324806770
光半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-209761
公開番号（公開出願番号）：特開2004-053830
出願日： 2002年07月18日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：
【課題】マッハツェンダ型干渉計を有する光半導体装置に関し、電界と半導体のオーバーラップによる電機信号の損失を従来よりも低減すること。【解決手段】半導体基板1の上に形成された互いに分離された上側クラッド層12,13及びコア層11をそれぞれ有する第1及び第2の光導波路5,6と、第1及び第2の光導波路5,6の上にそれぞれ形成された第1、第2の位相変調電極18a,18bと、第1及び第2の光導波路5,6の両側方の半導体基板1の上に形成され且つエアブリッジ配線19a,19bを介して第1の位相変調電極18aと第2の位相変調電極18bに別々に接続される第1のスロットライン電極17aと第2のスロットライン電極17bとを含む。【選択図】 図7
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に形成された第1導電型半導体よりなるバイアス層と、
前記バイアス層の上に形成され且つ第1の上側クラッド層と第1導電型半導体よりなる第1の下側クラッド層との間に挟まれたストライプ状の第1のコア層を有する第1の光導波路と、
前記第1の上側クラッド層から分離された第2の上側クラッド層と第1導電型半導体よりなる第2の下側クラッド層との間に挟まれて前記バイアス層の上に形成され、且つ前記第1のコア層とは分離されて形成されたストライプ状の第2のコア層を有する第2の光導波路と、
前記第1の光導波路の前記第1の上側クラッド層の上に形成された第1の位相変調電極と、
前記第2の光導波路の前記第2の上側クラッド層の上に形成された第2の位相変調電極と、
前記第1の光導波路の側方に形成されて前記第1の位相変調電極に第1のエアブリッジ配線を介して接続される第1のスロットライン電極と、
前記第2の光導波路の側方に形成されて前記第2の位相変調電極に第2のエアブリッジ配線を介して接続される第2のスロットライン電極と、
前記半導体基板の上に形成されて前記第1の光導波路と前記第2の光導波路のそれぞれの一端に接続される第1の光カプラと、
前記半導体基板の上に形成されて前記第1の光導波路と前記第2の光導波路のそれぞれの他端に接続される第2の光カプラと
を有することを特徴とする光半導体装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G02F1/017 503
, G02F1/017 506
2H079AA02
, 2H079AA12
, 2H079BA03
, 2H079CA04
, 2H079DA16
, 2H079EA05
, 2H079EA07
, 2H079EB04
, 2H079EB06
, 2H079EB15
, 2H079GA01
, 2H079HA14
, 2H079HA15
