特許

J-GLOBAL ID：200903093328245357

半導体単結晶の製造方法

発明者： 藤山 辰浩 ,  園田 浩二 ,  朝長 恒成
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-105175
公開番号（公開出願番号）：特開平6-293588
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 引き上げ法による半導体単結晶の製造において、単結晶化率の向上および酸素誘起積層欠陥の発生率低減と、黒鉛るつぼの耐用回数増大が可能な製造方法を提供する。【構成】 黒鉛るつぼ1と石英るつぼ2との隙間に、炭素繊維からなる耐熱性シート3を挟持させて単結晶の引き上げを行う。前記耐熱性シート3は、底面シート3aと側面シート3bとによって構成され、黒鉛るつぼ1の内面を被覆する。これにより、黒鉛るつぼ1の分割面および内面のSiC化と、これに伴うるつぼの変形が抑止される。また、従来は黒鉛るつぼ1の内面に蓄積された不純物が前記耐熱性シート3に蓄積される。従って、1回ないし数回の単結晶引き上げのつど耐熱性シート3を交換することにより、黒鉛るつぼ1内面の減肉が抑止されるとともに、内面に蓄積される不純物の量を大幅に減らすことができる。

請求項（抜粋）：

引き上げ法による半導体単結晶の製造において、原料融液を貯留するるつぼとこのるつぼを収容する支持体との隙間に、前記支持体の内面を被覆する耐熱性シートを挟持させることを特徴とする半導体単結晶の製造方法。

IPC (4件)：

C30B 15/12 ,  C30B 29/06 502 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-156091
  
• 特開昭63-166790
  
• 特開昭63-112491
  
• 特開昭59-030794