特許

J-GLOBAL ID：200903093329373790

多層配線基板の製造方法

発明者： 伊藤 達也 ,  豊島 剛
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-159465
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067900
出願日： 1997年06月17日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 樹脂絶縁層を介して形成される複数層の配線パターンとこれらの間を導通するビアを有する多層配線基板において、配線パターンの密着強度を保ちつつビアの導通不良を低減する。【解決手段】コア基板1上に形成された下層配線パターン4の上方に形成され、下層配線パターン4の上面にビアホール7が形成された樹脂絶縁層6の表面をエッチング液により粗化する工程と、この粗化された樹脂絶縁層6の上面6aを研磨する工程と、その後、この研磨された樹脂絶縁層6のビアホール7を含む表面(6b,7a)を上記同様に粗化する工程とを有し、上記ビアホール7内に追って形成されるビアの底部に樹脂残りや形状不良が生じにくくし、且つ樹脂絶縁層6の上面に追って形成される上層配線パターンの密着強度を強固に維持する。

請求項（抜粋）：

下層配線パターンの上方に形成され、該下層配線パターンの上面に少なくとも1つ以上のビアホールが形成された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、該表面粗化された樹脂絶縁層の上面を所定の厚さ研磨して除去する研磨工程と、その後、該研磨された樹脂絶縁層の表面を粗化する表面粗化工程と、を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/90 S ,  H01L 21/304 321 S ,  H01L 21/306 D