特許
J-GLOBAL ID：200903093341564712
接続孔の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-136815
公開番号（公開出願番号）：特開平6-326198
出願日： 1993年05月13日
公開日（公表日）： 1994年11月25日
要約：
【要約】【目的】 リソグラフィー技術の解像限界を超える微細な接続孔を形成する方法を提供する。【構成】 第1の工程では、ウエハ1に形成された導電層12上の絶縁層13の上面にレジスト膜14を成膜し、レジスト膜14に開口部15を形成する。第2の工程では、導電層12の上面に絶縁層13が薄膜状態で残るように、レジスト膜14を用いて絶縁層13に穴パターン16を形成する。第3の工程では、レジスト膜14を除去し、絶縁層13の上面に所定膜厚のサイドウォール形成層17を成膜する。第4の工程では、サイドウォール形成層17によって穴パターン16の側壁にサイドウォール18を形成した後、サイドウォール18をエッチングマスクにして導電層12が露出するまで穴パターン16底部の絶縁層13を異方性エッチングし、絶縁層13に接続孔19を形成する。
請求項（抜粋）：
ウエハに形成された導電層上の絶縁層に接続孔を形成する方法であって、前記絶縁層の上面にレジスト膜を形成し、前記導電層上の当該レジスト膜に開口部を形成する第1の工程と、前記導電層の上面に前記絶縁層が薄膜状態で残るように、前記レジスト膜を用いて当該絶縁層に穴パターンを形成する第2の工程と、前記レジスト膜を除去し、前記絶縁層の上面に所定膜厚のサイドウォール形成層を成膜する第3の工程と、前記前記サイドウォール形成層によって前記穴パターンの側壁にサイドウォールを形成した後、当該サイドウォールをエッチングマスクにして前記導電層が露出するまで当該穴パターン底部の前記絶縁層を異方性エッチングする第4の工程とを行うことを特徴とする接続孔の形成方法。
IPC (2件)：
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