特許

J-GLOBAL ID：200903093342552793

半導体装置

発明者： 内藤 克幸
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-073822
公開番号（公開出願番号）：特開平9-266210
出願日： 1996年03月28日
公開日（公表日）： 1997年10月07日
要約：

【要約】【課題】 モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)を回路基板の配線パターンにフリップチップ接続するに際し、MMICにおける素子突起電極の偏在により生じる回路基板とMMICとの間の傾斜を防止し、配線パターンと素子突起電極、外部端子突起電極とが均一に接続できるようにする。【解決手段】 半導体基板11(半絶縁性GaAs)上に形成された半導体素子(縦型ヘテロ接合バイポーラトランジスタ/縦型HBT)11の直上に形成した素子突起電極13の偏在を補償するように半導体基板11の外周部にほぼ帯状のスペーサ突起電極15を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された半導体素子と、この半導体素子の直上に形成された素子突起電極とを備えてなる半導体装置において、前記半導体基板の素子形成表面上に前記素子突起電極の偏在を補償するためのほぼ帯状のスペーサ突起電極を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/321 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321

FI (3件)：

H01L 21/92 602 Q ,  H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 X