半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：内原晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-248569
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090481
出願日： 1991年09月27日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】バイポーラトランジスタを有する半導体集積回路の静電保護強度を向上する。【構成】最高電位端子3と最低電位端子5の間に、内部回路1で使用するNPNトランジスタと同一構造のNPNトランジスタ7のコレクタとエミッタを接続し、ベースとエミッタとの間に抵抗8を接続することにより、従来より寄生的に存在するダイオード6よりも低いブレークダウン電圧を有するダイオードを接続したことになる。これにより、静電パルスが印加された際に内部回路を介して最高電位領域から最低電位領域に静電パスルートが生成され、内部素子を破壊されてしまうのを防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、バイポーラトランジスタを形成して種々の回路を構成する半導体集積回路において、少なくとも1つ以上のバイポーラトランジスタのコレクタ電極が前記回路の最高電位配線領域に、エミッタ電極が前記回路の最低電位配線領域にそれぞれ接続され、前記トランジスタのベース電極とエミッタ電極間には抵抗素子が接続されていることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (5件)：

H01L 23/522 , H01L 23/556 , H01L 23/60 , H01L 23/62 , H01L 27/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平3-027566
特開昭63-031153
特開平2-007458

前のページに戻る