半導体装置における層間接続構造及びその形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-033089
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221180
出願日： 1994年02月04日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【目的】ステッパーの合わせズレや加工寸法のばらつきに対するマージンを必要とせず、しかも接続孔の埋込みを必要としない層間接続構造の形成方法を提供する。【構成】下層配線層13上に予め中間層14を介して接続部形成層15を堆積した後、パターニングして先ず配線形状に加工し、しかる後接続部形成層15をパターニングし、接続部15a以外の接続部形成層15を除去することによって接続部15aを形成する。そして、接続部15a以外の除去した部分を層間絶縁膜17で埋め、その上に上層配線層18を接続部15aと電気的に接続した状態で形成する。

請求項（抜粋）：

多層配線構造の半導体装置における各配線層間を接続する層間接続構造であって、下層配線層と、前記下層配線層上に積層された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された上層配線層と、前記層間絶縁膜を貫通して前記上層配線層と前記下層配線層とを電気的に接続する単一金属層からなる接続部とを備えたことを特徴とする層間接続構造。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開平2-137355
特開平2-215130
特開昭64-045141

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