特許
J-GLOBAL ID：200903093344143351

プラズマイオン金属被着装置

発明者：
赤堀 宏

赤堀 宏 について


出願人/特許権者：
株式会社真空デバイス

株式会社真空デバイス について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-115327
公開番号（公開出願番号）：特開2000-266653
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】試料表面にイオンスパッタによる金属被着,及びプラズマイオン成膜による金属オスミウム被着を行う装置に於てイオン衝撃による試料損傷が無く,プラズマ放電電圧の極性の変換や試料の位置移動を行うことなく,同一装置内で単一操作により金属被着を行える装置の提供【解決手段】負電極(2)をホローカソード形としカソード内面をスパッタ容易な金属で作り,対向したアノード電極(6)との間に直流電圧を印加することにより従来の平面電極形ダイオード放電に比べて2分の1以下の電圧でプラズマ放電を持続させ,発生したプラズマイオンでカソード内面のターゲット金属(3)をスパッタさせ,あるいは雰囲気ガスの4酸化オスミウムガスをイオン化させることにより試料(S)表面にスパッタ金属粒子と金属オスミウムの膜を単一操作で被着させるプラズマイオン金属被着装置を提供する
請求項（抜粋）：
希薄気体状態に維持される真空槽(1)内に負電極が円筒型であるホローカソード(2)とホローカソード(2)に対向してアノード電極(6)を設けたダイオード放電プラズマイオン金属被着装置に於て,ホローカソード(2)の円筒内壁をスパッタ率良好なターゲット金属(3)で形成し,円筒底部に電気的に絶縁して試料台(5)を設置してなるプラズマイオン金属被着装置
IPC (3件)：
G01N 1/28 ,  C23C 14/14 ,  H05H 1/24
FI (4件)：
G01N 1/28 N ,  C23C 14/14 D ,  H05H 1/24 ,  G01N 1/28 F
Fターム (7件)：
4K029BA22 ,  4K029BC03 ,  4K029BD00 ,  4K029CA03 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DC13
引用特許：
出願人引用 (15件)
  • 特公平8-014021
  • 特開平4-191369
  • 特許第2697753号
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審査官引用 (4件)
  • 特公平8-014021
  • 特開平4-191369
  • 特許第2697753号
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