特許

J-GLOBAL ID：200903093345734809

高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材

発明者： 高階 啓幸
出願人/特許権者： 三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 富田 和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219531
公開番号（公開出願番号）：特開平8-060349
出願日： 1994年08月22日
公開日（公表日）： 1996年03月05日
要約：

【要約】【目的】 高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材を提供する。【構成】 スパッタリングターゲット材が、In,Sn,Zn、およびNbの4成分複合酸化物からなり、かつ前記4成分複合酸化物の構成成分を、In2 O3,SnO2 ,ZnO、およびNb2 O5 で表わした場合、重量%で、SnO2 :5〜20%、ZnO:0.3〜7%、Nb2 O5 :0.3〜7%、ただしZnO+Nb2 O5 :1〜10%を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成を有する。

請求項（抜粋）：

In,Sn,Zn、およびNbの4成分複合酸化物からなり、前記4成分複合酸化物の構成成分を、In2 O3 ,SnO2 ,ZnO、およびNb2 O5 で表わした場合、重量%で、SnO2 :5〜20%、 ZnO:0.3〜7%、Nb2 O5 :0.3〜7%、(ただし、ZnO+Nb2 O5 :1〜10%)、を含有し、残りがIn2 O3 と不可避不純物からなる組成を有することを特徴とする高強度および高導電性を有するITO薄膜形成用スパッタリングターゲット材。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/457 ,  C04B 35/495 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/203

FI (2件)：

C04B 35/00 R ,  C04B 35/00 J