特許
J-GLOBAL ID:200903093354029816

配線基板、半導体装置、及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 川澄 茂
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-047554
公開番号(公開出願番号):特開2002-261183
出願日: 2001年02月23日
公開日(公表日): 2002年09月13日
要約:
【要約】【課題】配線基板上の配線上に形成される突起導体(バンプ)の位置の精度を向上させる。【解決手段】テープ状の絶縁性基材の一主面に配線が設けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と対向する主面に、スルーホール配線により前記配線と電気的に接続される外部接続端子が設けられた配線基板において、前記配線には、半導体チップの外部電極と接続される第1接続端子、前記スルーホール配線により前記外部接続端子と接続される第2接続端子、及びそれらの中間のスプリング部が設けられており、前記配線の少なくとも前記第1接続端子の表面に接合性のよい金属薄膜層が設けられ、前記第1接続端子上に前記薄膜層を介して突起導体が設けられている配線基板である。
請求項(抜粋):
テープ状の絶縁性基材の一主面に配線が設けられ、前記絶縁性基材の配線が形成された面と対向する主面に、スルーホール配線により前記配線と電気的に接続される外部接続端子が設けられた配線基板において、前記配線には、半導体チップの外部電極と接続される第1接続端子、前記スルーホール配線により前記外部接続端子と接続される第2接続端子、及びそれらの中間のスプリング部が設けられており、前記配線の少なくとも前記第1接続端子の表面に接合性のよい金属薄膜層が設けられ、前記第1接続端子上に前記薄膜層を介して突起導体が設けられていることを特徴とする配線基板。
IPC (2件):
H01L 23/12 ,  H05K 3/34 501
FI (2件):
H05K 3/34 501 E ,  H01L 23/12 F
Fターム (4件):
5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC01 ,  5E319BB04

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