特許

J-GLOBAL ID：200903093362512488

エッチング中にガスを切り替えてエッチングの特性を調節する方法

発明者： ピン ジアン ,  フランシス ジー、セリィ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-044118
公開番号（公開出願番号）：特開2002-329714
出願日： 2002年02月21日
公開日（公表日）： 2002年11月15日
要約：

【要約】【課題】 エッチング処理中に処理用ガスを切り替えて、エッチングの特性を調節する方法を開示する。【解決手段】 エッチング処理は、少なくとも1回繰り返す第1のステップと、第2のステップを含む。例えば、第1のステップは、酸化物108のエッチング速度を速くし、第2のステップは、酸化物のエッチング速度を遅くして他の材料114のエッチング速度を速くする。

請求項（抜粋）：

集積回路を製造する方法であって、上に層が形成される半導体ボディを用意するステップと、前記層に上にパターンを形成するステップと、さらに少なくとも第1のステップと第2のステップを含む処理を使用して前記層をエッチングし、前記第1のステップと第2のステップが少なくとも1回繰り返されるステップと、を含む方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/302 A ,  H01L 21/90 A

Fターム (31件)：

5F004AA05 ,  5F004CA01 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA23 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004EA28 ,  5F004EA37 ,  5F004EA40 ,  5F033HH11 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ32 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ04 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR01 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033TT04