位相シフトマスクの検査方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306170
公開番号（公開出願番号）：特開平5-142754
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】露光波長(λ)の単色光を光源とする露光装置に適合するように設計された位相シフトマスク〔但し、その厚み(d)は、d=λ/2(n-1) (ここで、nはマスク材料の屈折率、λは露光波長) によって限定されている〕に、前記露光波長の単色光を照射して、光学像を得、それによって、位相シフトマスク端部および/または内部における欠陥を検出することを特徴とする半導体位相シフトマスクの検査方法に関する。さらに、シフトマスク内部の欠陥を検出するため、2枚のシフトマスクに、別々に単色光を透過させたのちに重合わせ、あるいは一方に位相反転フィルターを用いて180°位相を反転させて、2つの光学像を比較することでシフトマスクの欠陥を検出する方法に関する。

請求項（抜粋）：

露光波長(λ)の単色光を光源とする露光装置に適合するように設計された位相シフトマスク〔但し、その厚み(d)は、d=λ/2(n-1)(ここで、nはマスク材料の屈折率、λは露光波長) によって限定されている〕に、前記露光波長の単色光を照射して、光学像を得、それによって、位相シフトマスク端部および/または内部における欠陥を検出することを特徴とする半導体位相シフトマスクの検査方法。

IPC (5件)：

G03F 1/08 , G01B 11/24 , G01M 11/00 , G01N 21/88 , H01L 21/027

FI (3件)：

H01L 21/30 301 P , H01L 21/30 301 V , H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-037650
特開昭64-065665
特開昭56-142533

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